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Kato, H. Umezawa, N. Tokuda, D. Takeuchi, H. Okushi, and S. Yamasaki, "Low specific contact resistance of heavily phosphorus-doped diamond film", Appl. Phys. Lett. 93, 20202103, (2008). 　〔2〕K. Oyama, S.-G. Ri, H. Kato, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, N. Tokuda, H. Okushi, and S. Yamasaki, "High performance of diamond p+-i-n+ junction diode fabricated using heavily doped p+ and n+ layers", Appl. Phys. Lett., 94, 152109, (2009). 用語の説明 ◆ダイヤモンド半導体 ダイヤモンドは炭素だけからできているが、炭素は元素周期表では第IV族であり、電子部品の主役であるケイ素（シリコン）も同じ第IV族である。第IV族の中で炭素はケイ素の近くに位置し、ケイ素と似た性質を持っている。しかし、不純物や格子欠陥の少ない高品質のダイヤモンドがなかったことから、半導体としての研究は進んでいなかった。しかし、1980年ころに、化学気相合成法により高品質なダイヤモンドが人工的に合成できるようになった。その後、急速に半導体としての研究が進み、ひとつの応用としてLEDが作製できるようになった。パワーデバイスに必要な絶縁耐圧や熱伝導率といった特性は、シリコンやシリコンカーバイド、窒化ガリウムよりも優れている。[参照元へ戻る] ◆バイポーラトランジスタ 負の電荷を持つ電子と正の電荷を持つ正孔の二つを使ったトランジスタ。トランジスタはスイッチングや増幅作用を持つことができる。電子のみ、もしくは正孔のみを使ったユニポーラトランジスタもあるが、パワーデバイスとしてはバイポーラデバイスのほうが高い電圧でも動作することができ有利である。[参照元へ戻る] ◆パワーデバイス 電圧・電流・周波数を変換・制御するための一群の半導体素子。[参照元へ戻る] ◆シリコンカーバイド（SiC） シリコンと炭素からなる半導体で、シリコンとダイヤモンドの中間の性質を持っている。シリコンに性質が似ておりデバイス化が比較的容易であるため、現在、研究開発の中心となっている。[参照元へ戻る] ◆窒化ガリウム（GaN） 窒素とガリウムからなる半導体で青色発光ダイオードの材料である。パワーデバイスとしての性質はシリコンとダイヤモンドの中間に位置している。[参照元へ戻る] ◆ホッピング伝導、バンド伝導 整然と原子・分子が配列した系でキャリア（電子または正孔）が結晶格子の特定方向に流れることをバンド伝導という。一方、有機分子など非晶質構造で、キャリアが個々の分子間を飛び跳ねるように伝わっていくことをホッピング伝導という。一般的には、キャリアの流れやすさ（電流）は伝導経路および単位面積あたりのキャリアの数に依存し、バンド伝導のほうがホッピング伝導よりも素直であり、半導体デバイスとしては、バンド伝導が使われている。ダイヤモンド半導体の場合には、もともとキャリアの数が少なくバンド伝導のみでは抵抗が大きくなる欠点を持っていた。今回バンド伝導と高濃度不純物を添加することによるホッピング伝導をうまく組み合わせることにより、その欠点を克服した。[参照元へ戻る] ◆ダイオード 電流の向きによって、ある方向には電流が流れ、その逆方向には電流が流れなくなる電子素子。構造としてはトランジスタよりも単純な構造を持っている。トランジスタとダイオードの組み合わせによって電力変換器を作ることができる。[参照元へ戻る] ◆バイポーラ動作 負の電荷を持つ電子と正の電荷を持つ正孔の二つが関与する電子デバイスの動作。[参照元へ戻る] 関連記事ダイヤモンドLEDで殺菌を確認ダイヤモンド半導体で高効率の紫外線発光に成功ダイヤモンドバイポーラトランジスタの開発[PDF:1MB] お問い合わせお問い合わせフォーム 産総研について アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ English ニュース お知らせ一覧 研究成果一覧 イベント一覧 受賞一覧 研究者の方へ はじめての方へ 研究成果検索 研究情報データベース お問い合わせ 採用情報 ビジネスの方へ はじめての方へ 研究成果検索 事例紹介 協業・提携のご案内 お問い合わせ AIST Solutions 一般の方へ はじめての方へ イベント情報 スペシャルコンテンツ 採用情報 お問い合わせ 記事検索 産総研マガジンとは 公式SNS @AIST_JP 産総研チャンネル 公式SNS @AIST_JP 産総研 チャンネル サイトマップ このサイトについて プライバシーポリシー 個人情報保護の推進 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Copyright © National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST） （Japan Corporate Number 7010005005425）. 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